ETCH

作品数：54被引量：55H指数：4
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Etching Effect on CMP of Different GaN Layers
《稀有金属材料与工程》2011年第S3期276-280,共5页Siche Dietmar Rost Hans-Joachim Schulz Tobias Albrecht Martin 
National Natural Science Foundation of China (50472068, 50721002);National "863" High Technology Research and Development Program of China (2006AA03A145, 2007AA03Z405);National Basic Research Program of China (2009CB930503);The Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project, Ministry of Education of China (707039)
Chemical mechanical polishing (CMP) was used to etch various GaN materials, such as GaN layers on sapphire and silicon carbide substrates grown by metal-organic chemical vapor deposition and thick GaN layers grown by ...
关键词：SURFACE ETCH PITS CMP GAN 
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