倒相器

作品数：41被引量：20H指数：3
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高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1
《电子器件》2002年第4期324-326,共3页冯耀兰 宋安飞 樊路嘉 张正璠 
模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)
本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
关键词：高温SOI CMOS倒相器 互补金属-氧化物-半导体倒相器 瞬态特性 宽温区 
高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究被引量：2
《电子器件》2000年第1期13-18,共6页宋安飞 张海鹏 
国家自然科学基金重点项目 !(批准号 :6 9736 0 2 0 )
在讨论薄膜 SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上 ,以高温应用为目标 ,对适用于高温 SOICMOS倒相器的三种 MOSFET组合结构进行了比较分析 ,最终确定了高温 SOICMOS倒相器的 MOSFET组合结构的选取原则。
关键词：SOI CMOS 倒相器 MOSFET 
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