倒相器

作品数：41被引量：20H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：廖小平张旭春王凯悦王同洋谢军伟更多>>
相关机构：东南大学空军工程大学无锡力芯微电子股份有限公司西安电子科技大学更多>>
相关期刊：《电子科技文摘》《西安电子科技大学学报》《高保真音响》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家部委预研基金国家重点实验室开放基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CMOS／SOI的高温特性分析
《微电子学》1996年第3期146-149,共4页竺士炀 高剑侠 林成鲁 李金华 
采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５～２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线。实验结果显示，薄膜全耗ＳＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。
关键词：半导体材料 CMOS SIMOX BESOI 倒相器 
新型脉宽调制集成单元
《微电子学》1995年第1期16-20,共5页应建华 李乃平 
本文提出一种新型脉宽调制单元，它由ＣＭＯＳ逻辑电路构成，文章给出了单元的结构，并阐述了它的功能作用，结合ＳＰＩＣＥ分析，对充电通边的逻辑控制与输出节点电压的上升时间之间的关系，进行了计算机模拟。同时，给出了标准ＣＭＯ...
关键词：脉宽调制 CMOS 倒相器 智能 集成电路 
大规模集成的新途径—集成注入逻辑
《微电子学》1973年第4期49-56,共8页严炳富 刘恩荣 
适合于大规模集成的逻辑门应满足三个重要要求:为了使含有大约1000个门的集成电路可靠工作和有适当的成品率,工艺必须是简单的和容易控制的。基本门电路亦必须简单和尽可能紧凑,以避免过大的芯片面积。最后,功率一延时乘积必须恰当,使...
关键词：基极电流 传播延时 功耗 注入器 倒相器 载流子注入 集电极电流 晶体管 半导体三极管 电流增益 发射极 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部