原子层外延

作品数：21被引量：16H指数：2
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相关机构：中国科学院信越半导体株式会社华中科技大学华南师范大学更多>>
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利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN被引量：5
《半导体光电》2001年第6期428-432,共5页刘宝林 
福建省自然科学基金重点资助项目 (E982 0 0 0 1)
在传统的二步MOCVD外延生长的基础上 ,报道了一种在低压MOCVD中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的AlN层来减少Al2 O3与GaN缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层GaN...
关键词：MOCVD 原子层外延 三步外延 器件质量 外延生长 氮化镓 
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