原子层外延

作品数：21被引量：16H指数：2
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GaN HEMT器件的AlN缓冲层MOCVD外延生长研究
《舰船电子对抗》2020年第5期116-120,共5页倪洪亮 吴金星 
探讨了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的基础——AlN缓冲层的制备,运用金属有机化学气相沉淀(MOCVD)技术,采用脉冲原子层外延(PALE)和传统连续生长相结合的方法,在提高AlN缓冲层生长速度的同时改善晶体的质量。采用优化后的生长工艺,...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 ALN缓冲层 金属有机化学气相沉淀 脉冲原子层外延 
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