原子层外延

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原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展
《材料导报》2012年第17期16-20,共5页何晓崐 左然 徐楠 于海群 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2...
关键词：原子层外延 GAAS 表面化学反应 
应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式
《液晶与显示》2004年第2期128-133,共6页王浩 廖常俊 范广涵 刘颂豪 郑树文 李述体 郭志友 孙慧卿 陈贵楚 陈炼辉 
国家科技攻关计划资助项目 (No.0 0 0 68) ;国家"973"资助项目 ( 0 0 1CB3 0 93 0 2 ) ;广东省重大科技专项资助项目 (No .2 0 0 3A10 3 0 40 5 )
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo DiskMOCVD外延生长过程 ,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处 ,当通过控制生长参数达到优质外延时 ,实际上是一种亚原子外延过程 。
关键词：原子层外延法 分子层外延法 金属有机化学气相淀积 参数调整 外延设备 ALE反应装置 
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