载流子

作品数：2008被引量：2539H指数：15
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：周明杰郝跃张波殷华湘朱慧珑更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司京东方科技集团股份有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 作者=张波x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现
《半导体技术》2017年第9期669-674,695,共7页邓小社 郭绪阳 李泽宏 张波 张大成 
国家自然科学基金资助项目(61404023);国家科技重大专项资助项目(2011ZX02504-001;2011ZX02504-003);电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201301)
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以...
关键词：逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC TRENCH FS IGBT) 载流子寿命 反向恢复时间 回扫现象 开关特性 
宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析
《实验科学与技术》2007年第2期14-16,共3页罗小蓉 周春华 陈壮梁 詹瞻 张波 李肇基 雷磊 
针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保...
关键词：宽带隙半导体 收敛 少数载流子 ISE仿真 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部