栅极电荷

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安世半导体推出低RDS(on)功率MOSFET
《电子质量》2020年第2期42-43,共2页
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市...
关键词：功率MOSFET 安全工作区 MOSFET器件 漏极电流 栅极电荷 分立器件 半导体 市场领先 
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《电子质量》2015年第4期52-54,共3页
Diodes推出两款同步整流器APR3415及APR34330Diodes推出两款同步整流器APR3415及APR34330,满足市场对提高便携式充电器集成度和效率的要求。新器件把驱动电路与内部MOSFET结合,从而提供功耗较低的实惠型整流解决方案,并减少外部元件数...
关键词：电源转换器 输出电压 同步整流 外部元件 消费性产品 雪莱特 新品推荐 反向恢复时间 栅极电荷 瞬态性能 
Vishay出新型20Vn通道功率MOSFETSiR440DP
《电子质量》2008年第12期46-46,共1页
日前，威世推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP，扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装，在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
关键词：功率MOSFET N通道 低导通电阻 SO-8封装 栅极电荷 额定电压 第三代 器件 
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