等离子体蚀刻

作品数：49被引量：3H指数：1
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等离子体蚀刻及其表面反应被引量：1
《光机电信息》1995年第7期18-21,共4页吴秀丽 
本文所述等离子体蚀刻技术是超微细薄膜加工技术,它是半导体高集成器件的关键.LSI的高集成化需要大幅度提高微细化的水平,最近研究的存储器16M DRAM使用了0.5～0.6μm刻线的微细加工.
关键词：等离子体蚀刻 超微细薄膜 加工 集成电路 
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