等离子体蚀刻

作品数：49被引量：3H指数：1
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等离子体蚀刻在提高传感器芯片强度方面的研究
《电子技术与软件工程》2021年第16期71-72,共2页金则清 李万品 
本文针对公司汽车传感器产品中超薄芯片(小于100微米)在贴片DB(“Die Bonding”,以下简称DB)工序中存在的断裂问题。通过测试晶圆磨削面的损伤层,发现不同颗粒的磨轮磨出的晶圆损伤层有显著的差异。因而将晶圆减薄的磨轮颗粒从2~6um(SD3...
关键词：贴片DB 等离子体蚀刻 损伤层 芯片强度 横向抗折强度 
华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆
《集成电路应用》2017年第4期90-90,共1页
华虹半导体有限公司宣布,功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中,得益于市场对超级结MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的强劲需求,华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super Junction MOSFET（SJNFE...
关键词：半导体功率器件 等离子体刻蚀 离子刻蚀 半导体设备 导通电阻 开关速度 光刻胶 去胶 开关损耗 等离子体蚀刻 
中微确立存储晶片干法蚀刻领域市场地位
《半导体信息》2013年第3期28-29,共2页赵佶 
中微半导体设备有限公司（以下简称"中微"）称已研发成功第二代单反应台等离子体蚀刻设备(PrimoSSCAD-RIETM)。该设备能够用于加工要求最为严格的半导体器件。在不到一年的时间里,中微的PrimoSSCAD-RIETM蚀刻设...
关键词：等离子体蚀刻 半导体器件 半导体制造 半导体设备 生产验证 双反 第三代 加工工艺 技术成就 美国硅 
丰田采用非极性GaN制造高阈值电压MOSFET
《半导体信息》2008年第6期27-28,共2页陈裕权 
关键词：阈值电压 GaN 功率电子学 硅栅 断型 丰田中心 功率晶体管 丰田制 器件工艺 等离子体蚀刻 
等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究被引量：1
《湖北民族学院学报（自然科学版）》2008年第2期179-182,共4页朱永丹 杨建平 李兴鳌 左安友 袁作彬 
湖北省教育厅重点项目(D200529002B20082902)
等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择...
关键词：集成电路制造 等离子体蚀刻 蚀刻率 选择比 
Tegal获得日本晶圆厂900系列蚀刻设备订单
《电子工业专用设备》2006年第9期50-50,共1页
关键词：等离子体蚀刻 900系列 设备设计 订单 晶圆 日本 纳米器件 制造商 半导体 公司 
A breakthrough in core IC equipment R&D and industrialization
《Bulletin of the Chinese Academy of Sciences》2006年第4期247-247,共1页
A major special project of integrated circuit （IC） manufacturing equipment of the National High-tech Research and Development Program, dubbed ＂863＂ Program, passed the acceptance check jointly organized by the Mi...
关键词：集成电路制造设备 等离子体蚀刻 离子注入 核心装备 研究开发 检查 验收 
蚀刻设备
《集成电路应用》2006年第3期36-36,共1页
DFE8040（200mm）／DFE8060（300mm）干法蚀刻设备采用了等离子体蚀刻以达到应力释放的目的，增强在半导体器件制造中芯片的强度。这种干法蚀刻设备可作为晶圆减薄后应力释放的在线单元。
关键词：等离子体蚀刻 应力释放 干法蚀刻 半导体器件 晶圆 
通用工艺与设备
《电子科技文摘》2005年第12期41-53,共13页
05192542002年电解工业报告=Report on the Electrolytic In-dustries for the Year 2002[刊,英]/V.Srinivasan,L.Lipp//Journal d The Electrochemical Society.—2003,150(12).—K15(E)0519255垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究[刊,...
关键词：通用工艺 电子束光刻 掩模 等离子体蚀刻 等离子体刻蚀 LITHOGRAPHY 极端紫外 压铸机 注射成型 溶胶一凝胶 
深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术
《半导体技术》2005年第1期35-40,共6页成立 王振宇 武小红 范木宏 祝俊 赵倩 
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及...
关键词：超大规模集成电路 纳米CMOS器件 离子束蚀刻 考夫曼离子源 电子回旋共振 电感耦合等离子体蚀刻器 
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