等离子体损伤

作品数：15被引量：18H指数：2
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一种测试等离子体损伤的新方法被引量：1
《微电子学》2007年第5期768-770,共3页徐政 孙锋 李冰 
开发了一种用于评估等离子体损伤的测试方法。利用电流流经氧化层时会在氧化层产生缺陷,从而导致隧道电流降低的原理,通过测量氧化层的隧道电流,来评估工艺制造过程中等离子体对介质造成的损伤。测量结果用气泡图表示,气泡面积表示隧道...
关键词：半导体工艺 氧化层 等离子体损伤 隧道电流 
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