质子注入

作品数：32被引量：59H指数：4
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相关作者：刘维民裴先强王齐华沈学础陆卫更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学北京大学北京有色金属研究总院更多>>
相关期刊：《核技术》《固体电子学研究与进展》《矿物岩石地球化学通报》《半导体光电》更多>>
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高压功率二极管中局域铂掺杂寿命控制的研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2004年第4期422-426,共5页贾云鹏 王俊 亢宝位 张斌 
北京市自然科学基金资助项目 (No .40 2 2 0 0 4);北京市教委资助项目 (批准号 :2 0 0 2KJ0 0 8) ;国家自然科学基金资助 (60 3 760 3 5 )
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°C、半小时低温退火 ,在已进行质子辐照的样品中 ,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散 ,并形成与质子辐照...
关键词：局域寿命控制 质子注入 铂汲取 功率二极管 
质子注入等平面GaAs梁式引线混频管
《固体电子学研究与进展》1990年第4期353-357,共5页戴沛然 
本文论述质子注入等平面GaAs梁式引线混频管的特点、器件结构及工艺途径.根据理论分析及实验,采用厚度合适的选镀金层作为掩蔽膜,选定合适能量及剂量的多能量叠加质子注入条件,得到较为满意的实验结果,制成的样管在8mm波段测得的变频损...
关键词：混频管 染式引线 质子注入 GAAS 
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