低温合金

作品数:17被引量:9H指数:2
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Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第1期72-75,96,共5页王金 孔岑 周建军 倪金玉 陈堂胜 刘涛 
国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑资助项目(BE20120070)
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及...
关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管 外延层减薄 低温合金 欧姆接触 
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