深槽刻蚀

作品数:21被引量:54H指数:5
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:李志栓张正元江洪敏郭涛刘俊更多>>
相关机构:电子科技大学北京大学杭州士兰集成电路有限公司兰州大学更多>>
相关期刊:《中国集成电路》《电子技术应用》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院微电子研究所所长基金武器装备预研基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=中国集成电路x
条 记 录,以下是1-2
视图:
排序:
深槽刻蚀工艺参数及干法清洗工艺的研究被引量:2
《中国集成电路》2018年第5期55-59,89,共6页周浩 罗燕飞 高周妙 闻永祥 李志栓 方佼 季锋 
本文研究了博世(Bosch)工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数(包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极(Source)功率、下电极偏压(bias)功率、C4F8钝化切换时间)研究其对刻蚀速率、选择比及刻蚀形貌的影响,得到了...
关键词:博世工艺 深槽刻蚀 清洗工艺 微机械系统 
SOI深槽刻蚀Notching效应的研究被引量:2
《中国集成电路》2015年第10期61-64,共4页於广军 闻永祥 方佼 李志栓 
本文研究了高频(13.56 MHz)和低频(380 KHz)深槽刻蚀机,对SOI硅片深槽刻蚀横向切口(notching)效应的影响。结果表明:过刻蚀量(OE)在20%时,高频设备发生notching现象,但是随着槽尺寸的增大,notching的横向刻蚀量呈线性下降;低频设备在OE...
关键词:横向切口效应 深槽刻蚀 低频偏压 微机械系统 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部