深槽刻蚀

作品数：21被引量：54H指数：5
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相关作者：李志栓张正元江洪敏郭涛刘俊更多>>
相关机构：电子科技大学北京大学杭州士兰集成电路有限公司兰州大学更多>>
相关期刊：《中国集成电路》《电子技术应用》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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深槽刻蚀侧壁平坦化技术被引量：2
《半导体技术》2016年第5期390-393,共4页於广军 杨彦涛 闻永祥 李志栓 方佼 马志坚 
国家科技重大专项资助项目(2013ZX02310)
介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,...
关键词：深槽刻蚀(DRIE) 扇贝褶皱 博世工艺 线性氧化 光滑侧壁 
平滑陡直的Si深槽刻蚀方法被引量：7
《半导体技术》2009年第3期214-216,220,共4页张育胜 
中国科学院微电子研究所所长基金项目(07SF074002)
Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积...
关键词：硅深槽刻蚀 电感耦合等离子体 Bosch工艺 化学平衡 
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