深槽刻蚀

作品数：21被引量：54H指数：5
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基于CMOS-MEMS工艺的高深宽比体硅刻蚀方法的研究
《电子技术应用》2018年第10期32-36,40,共6页张海华 吕玉菲 鲁中轩 
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25μm/0.8μm的隔离深槽,并且为了便于MEMS传感器和CMOS...
关键词：CMOS-MEMS工艺 高深宽比 深槽刻蚀 RIE和Bosch工艺 
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