势垒电容

作品数：20被引量：39H指数：3
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SiGe HBT发射极延迟时间模型
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1384-1389,共6页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 王顺祥 王伟 崔晓英 王青 王喜媛 
国家部委预研基金资助项目(批准号:41308060108;51408010301DZ0131)~~
在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考...
关键词：SIGE HBT 势垒电容 发射极延迟时间 
正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用被引量：1
《Journal of Semiconductors》1981年第3期222-233,共12页江关辉 
在对P^+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P^+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaA...
关键词：势垒电容 异常变化 突变结 变容管 变容二极管 电容变化 
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