数字衰减器

作品数:31被引量:58H指数:4
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相关机构:南京理工大学电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所南京电子器件研究所更多>>
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高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现被引量:3
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1125-1128,共4页王会智 李拂晓 
介绍了一种高性能50MHz~20GHz的超宽带5bitGaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗<5dB;最大衰减量>31dB;两端口所有态的电压...
关键词:超宽带 GAAS 数字衰减器 MESFET 
一种新颖的4bit和5bit超宽带Ga As单片数字衰减器被引量:3
《Journal of Semiconductors》2005年第3期585-589,共5页王会智 沈亚 蒋幼泉 李拂晓 张斌 
介绍了一种新颖的DC^20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果.该衰减器的设计采用纵向思维的方法.最终得到的 4bit数字衰减器的主要性能指标是:在 DC^20GHz频带内,插入损耗≤3 5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰...
关键词:超宽带 数字衰减器 MMIC 高性能 
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