四甲基硅

作品数：19被引量：16H指数：4
导出分析报告
相关领域：理学更多>>
相关作者：施德恒马兴孝孔繁敖刘玉芳陆庆正更多>>
相关机构：中国科学院中国人民解放军空军第一航空学院河南师范大学中国科学技术大学更多>>
相关期刊：《光子学报》《中国激光》《中国医药工业杂志》《激光杂志》更多>>
相关基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
四甲基硅流量对SiC空心微球成分及性能的影响被引量：1
《硅酸盐学报》2017年第10期1446-1453,共8页唐翠兰 王涛 黄景林 何小珊 刘磊 王红斌 何智兵 
中国工程物理研究院超精密加工重点实验室基金项目(ZD16002)
以四甲基硅(tetramethyl silane,TMS)、反式二丁烯(trans-2-butene,T2B)和氢气为工作气源,采用化学气相沉积(CVD)-高温热解法,在不同TMS流量条件下制备了惯性约束聚变用SiC空心微球。对SiC空心微球的成分、表面形貌、表面粗糙度、球形...
关键词：碳化硅 空心微球 四甲基硅 表面粗糙度 球形度 
羧酸不经脱羧，直接还原氯代
《中国医药工业杂志》2015年第2期161-161,共1页
苯乙酸和脂肪酸在1,2-二氯乙烷中，GaCl3催化下，与CuCl2和1，1，3，3-四甲基硅氧醚不经脱羧，直接发生还原氯化反应，生成相应的氯代物。12例收率55％～92％，分子中含有双键、硝基等宫能团不受影响。对位带强拉电子基的苯甲酸能反应...
关键词：直接还原 脱羧 氯代 羧酸 氯化反应 CUCL2 二氯乙烷 四甲基硅 
390.60nm激光作用下Si(CH_3)_4的多光子解离与硅原子的(1+1)电离被引量：1
《激光杂志》2002年第5期39-41,共3页施德恒 刘新建 刘玉芳 
在390.60nm的紫外激光作用下,利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱,在较低能量的激光作用下主要检测到了Si（CH3）+、Si+、C2+等离子的信号,有时甚至只检测到了Si...
关键词：390.60nm激光 四甲基硅 飞行时间质谱 反应动力学 多光子解离电离 多光子电离解离 硅原子 
410～355nm内四甲基硅的多光子解离和电离研究
《原子与分子物理学报》2002年第2期126-132,共7页施德恒 刘玉芳 
利用平行板电极装置研究了四甲基硅在 410～ 378nm内的MPI光谱 ;利用TOF质谱仪研究了该分子在 40 2～ 371nm内若干个波长点处的TOF质谱 ;利用四极质谱装置研究了它在 35 5nm处的MPI质谱。测得了 35 5nm下Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3,4)及Si+...
关键词：甲四基硅 多光子解离 多光子电离 反应动力学 质谱 分子物理 
355nm激光作用下Si(CH_3)_4分子的MPI质谱研究被引量：4
《中国激光》2002年第3期218-222,共5页刘玉芳 施德恒 孙金锋 
在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子...
关键词：四甲基硅 多光子解离电离 激光 MPI质谱 
飞行时间质谱法研究Si(CH_3)_4分子的多光子解离和电离过程被引量：1
《激光杂志》2001年第6期42-44,共3页施德恒 刘玉芳 
采用超声分子束技术 ,以飞行时间 (TOF)质谱仪 ,于 410～ 371nm内 ,在不同能量的激光作用下 ,着重检测了气相Si(CH3 ) 4分子在 15个波长点处的多光子电离 (MPI)TOF质谱分布。根据实验结果 ,讨论了Si(CH3 ) 4可能的MPI机理。得到了Si+ ...
关键词：飞行时间质谱 四甲基硅 分子 多光子解离电离 反应动力学 多光子电离机理 
在超声分子束下气相四甲基硅分子的多光子解离与电离被引量：2
《原子与分子物理学报》1996年第4期392-396,共5页施德恒 陆庆正 孔繁敖 余枝广 马兴孝 
国家自然科学基金
采用超声分子束技术，以飞行时间质谱仪，在４１０～３７１ｎｍ内着重检测了不同波长、不同能量的激光对气相Ｓｉ（ＣＨ３）４分子多光子电离（ＭＰＩ）飞行时间（ＴＯＦ）质谱产物分布的影响。根据实验结果，对Ｓｉ（ＣＨ３）４分子多...
关键词：飞行时间质谱 反应动力学 四甲基硅 
紫激光作用下四甲基硅的多光子电离光谱及其谱线强度研究
《激光与光电子学进展》1995年第A01期146-146,共1页施德恒 
关键词：多光子电离光谱 四甲基硅 谱线强度 紫激光 
410～373nm激光作用下四甲基硅的多光子电离与解离
《中国激光》1995年第1期45-48,共4页施德恒 陆庆正 孔繁敖 余枝广 马兴孝 
利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数，讨论了多光子电离（ＭＰＩ）谱中某些话线的归属。通过对飞行时间（ＴＯＦ）质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果，讨论了该分子可能的ＭＰＩ过程，得到了较高能量下Ｓｉ...
关键词：四甲基硅 多光子电离 解离 激光 硅原子 
紫外激光作用下四甲基硅的MPI和硅原子的（2＋1）电离
《光子学报》1994年第4期366-371,共6页施德恒 刘新建 陆庆正 余枝广 马兴孝 孔繁敖 
国家自然科学基金
本文报道了在３９０～３７１ｎｍ内利用平行板电极装置和飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行ＭＰＩ光谱及ＴＯＦ质谱研究的实验结果，并据此讨论了该分子可能的ＭＰＩ机理。
关键词：四甲基硅 多光子电离 光化学 电离 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部