体电阻

作品数：50被引量：58H指数：5
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130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
《半导体技术》2010年第9期868-870,共3页毕津顺 韩郑生 海潮和 
国家重点基础研究资助项目(2006CB302701)
研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化。结果表明,Si膜厚度减小会导致体阻增大、体电容减小,但是体电阻和体电容的乘...
关键词：部分耗尽绝缘体上硅 动态阈值晶体管 体电阻 体电容 延迟 
新型部分耗尽SOI器件体接触结构
《半导体技术》2008年第11期968-971,共4页宋文斌 毕津顺 韩郑生 
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接触的侧面引出,适当加大了Si膜厚度来减小体引出电阻。利用ISE-TCAD三维器件模拟结果表明,该结构具有较小...
关键词：绝缘体上硅 浮体效应 体接触 寄生电容 体电阻 
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