铁电电容

作品数:26被引量:19H指数:2
导出分析报告
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>
相关作者:任天令翟亚红廖敏贾泽周益春更多>>
相关机构:清华大学华为技术有限公司电子科技大学复旦大学更多>>
相关期刊:《微电子学》《压电与声光》《中国集成电路》《功能材料》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=微电子学x
条 记 录,以下是1-3
视图:
排序:
Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究被引量:1
《微电子学》2019年第3期418-421,426,共5页王健健 白华 许高博 李梅 毕津顺 
国家自然科学基金资助项目(616340084)
利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜。通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和机械夹持工艺对铁电电容性能的影响。实验结果表明,极化强度-电压曲线为电滞回线形,双倍剩余极化强度达3...
关键词:铪锆氧 铁电电容 机械夹持 剩余极化强度 矫顽电压 
铁电存储器单元信号的测试与研究被引量:1
《微电子学》2013年第6期792-796,801,共6页翟亚红 李威 李平 胡滨 李俊宏 辜科 
国家自然科学基金资助项目(61204084)
基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电...
关键词:铁电电容 铁电存储器 位线电容 读出容差 
一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现被引量:1
《微电子学》2001年第4期255-259,275,共6页汤祥云 王岸如 程旭 汤庭鳌 
国家自然科学基金项目 ( 698760 0 8) ;"863"项目 ;AM基金项目
文章提出了一个基于 VLSI的 4k位串行铁电不挥发存储器的实现方案。该电路采用2 T- 2 C的存储单元设计 ,针对铁电电容的读出和写入的电流电压特性设计了相应的读写时序 ,给出了状态机的描述和相应的电路实现。该电路与通用的 E2 PROM 2 ...
关键词:铁电电容 VLSI 存储器 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部