电流崩塌

作品数：70被引量：88H指数：4
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相关作者：郝跃薛舫时刘新宇张宝顺马晓华更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学中国科学院南京电子器件研究所更多>>
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钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第1期73-77,共5页马香柏 张进城 郭亮良 冯倩 郝跃 
国家重大基础研究发展计划(批准号:2002CB3119;513270407);国防科技重点实验室基金(批准号:51432030204DZ0101;51433040105DZ0102)资助项目~~
由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以...
关键词：电流崩塌 钝化 场板结构 
AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型被引量：6
《物理学报》2006年第7期3622-3628,共7页郝跃 韩新伟 张进城 张金凤 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2002CB3119;513270407);国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102;51432030204DZ0101)资助的课题.~~
通过对AlGaN/GaNHEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaNHEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 直流扫描 电流崩塌 模型 
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