电流崩塌

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半导体技术
《中国无线电电子学文摘》2006年第6期47-67,共21页
关键词：半导体技术 半导体学报 电子技术 量子阱 AlGaN 位错腐蚀坑 迁移率模型 上海技术物理研究所 MOCVD 空穴缓冲层 低温晶片键合 干法刻蚀 测量结果 电流崩塌效应 量子点激光器 微电子学 SOI TN 应变层超晶格 
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