电流崩塌效应

作品数：16被引量：18H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张宝顺蔡勇于国浩李诚瞻刘新宇更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学西安电子科技大学中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《电力电子技术》《物理学报》《半导体技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微纳电子技术x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究
《微纳电子技术》2006年第3期121-124,共4页赵子奇 杜江峰 罗谦 靳翀 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60072004)
针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 电流崩塌 脉冲测试 表面态 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部