电流崩塌效应

作品数：16被引量：18H指数：2
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脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究
《微电子学》2005年第5期478-481,共4页龙飞 杜江锋 罗谦 靳翀 周伟 夏建新 杨谟华 
国家自然科学基金资助项目(60072004)
基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点。大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当栅压较小时,随着脉冲宽度的改变,漏脉冲电流按I0(0.89+γT/16...
关键词：电流崩塌效应 GAN HEMT 表面态 脉冲测试 
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