电流峰谷比

作品数：7被引量：3H指数：1
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相关作者：郭维廉齐海涛张世林李亚丽冯震更多>>
相关机构：天津大学中国电子科技集团第十三研究所武汉大学中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关期刊：《科学通报》《微纳电子技术》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第2期141-143,共3页李亚丽 张雄文 冯震 周瑞 张志国 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行...
关键词：谐振隧穿二极管 电流峰谷比 铟磷基外延材料 
新型恒压控制型负阻HBT的研制进展
《半导体技术》2007年第7期553-557,共5页齐海涛 郭维廉 张世林 
国家重点基础研究发展规划项目(2002CB311905);中国博士后科学基金资助(20060400189)
研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/G...
关键词：负阻 异质结双极晶体管 电流峰谷比 
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