电流峰谷比

作品数：7被引量：3H指数：1
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：郭维廉齐海涛张世林李亚丽冯震更多>>
相关机构：天津大学中国电子科技集团第十三研究所武汉大学中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
相关期刊：《科学通报》《微纳电子技术》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期202-206,共5页齐海涛 郭维廉 张世林 梁惠来 毛陆虹 
国家重点基础研究计划项目(973)(批准号2002CB311905);天津大学青年教师基金资助
在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具...
关键词：负阻器件 异质结双极晶体管 电流峰谷比 器件模拟 
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