电路元件

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中科院物理所基于忆耦器实现非易失性多态存储
《军民两用技术与产品》2017年第3期26-26,共1页物研 
中国科学院物理研究所的研究人员提出了一种新的非易失性存储器件——忆耦器（memtranstor）,并在单个忆耦器上分别实现了两态存储、多态存储和布尔逻辑运算。据悉,忆耦器是一种基于非线性磁电耦合效应的记忆元件,源于第四种基本电路元...
关键词：中国科学院物理研究所 存储器件 非易失性 多态 中科院 布尔逻辑运算 磁电耦合效应 电路元件 
中科院实现第四种基本电路元件与非易失信息存储器
《军民两用技术与产品》2016年第19期28-28,共1页新华 
中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）的研究人员基于磁电耦合效应，实现了满足原始物理定义的第四种基本电路元件。
关键词：电路元件 信息存储器 中国科学院物理研究所 中科院 凝聚态物理 磁电耦合效应 国家实验室 研究人员 
美国研究人员开发出芯片制造新技术
《军民两用技术与产品》2016年第3期24-24,共1页刘霞 
美国麻省理工学院（MIT）的研究人员开发出一种全新的芯片制造技术，可将两种晶格大小大不相同的材料——二硫化钼和石墨烯集成在一层上，制造出通用计算机所需的电路元件芯片。
关键词：美国麻省理工学院 芯片制造技术 研究人员 开发 新技术 通用计算机 二硫化钼 电路元件 
高阻燃性尼龙
《军民两用技术与产品》2008年第4期21-21,共1页
三菱工程塑料开发出无溴聚酰胺（PA）树脂“Novamid 1010N5-GW”。该材料符合白家电规格IEC60335—1第四版的有关规定．主要用于带铰链的连接器及开关等电路元件。
关键词：高阻燃性 尼龙 工程塑料 电路元件 聚酰胺 连接器 第四版 
新型纳米电子学——石墨片集成电路的测试
《军民两用技术与产品》2008年第2期22-22,共1页
单层石墨片具有良好的电学性质，例如，石墨片集成电路的主要组块是5nm～10nm宽的石墨纳米条，调整宽度和边缘形态可分别获得金属和半导体的性质。世界各国的科学家正致力于研究纳米条的构型，尝试创造不同的全石墨电子纳米器件和电路...
关键词：纳米电子学 集成电路 石墨片 测试 电学性质 电路元件 反射电流 华盛顿大学 
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