偏置条件

作品数：35被引量：58H指数：5
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不同偏置条件下Si—SiO_2界面电离辐照的XPS研究被引量：1
《微电子学与计算机》1989年第12期5-7,共3页刘昶时 吾勤之 张玲珊 
中国科学院青年奖励基金
应用灵敏的表面分析技术XPS(x射线光电子能谱)对不同偏置条件下γ射线辐照的Si-SiO_2界面进行断层分析表明,SiO_2态下硅的2p结合能信号强度随辐照剂量的增加而减少,谱峰半宽则增加;且在正偏电场下辐照样品的信号强度明显低于未辐照样品...
关键词：MOS器件 Si-SiO3界面 电离辐射 XPS 
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