热载流子注入效应

作品数：11被引量：15H指数：3
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相关作者：章晓文恩云飞赵毅孔学东张晓明更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司信息产业部电子第五研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《中国集成电路》《电子质量》《电力电子技术》更多>>
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N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化被引量：3
《电子器件》2007年第4期1129-1132,共4页王文博 宋李梅 王晓慧 杜寰 孙贵鹏 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果...
关键词：LDMOS 热载流子注入 可靠性 
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