电子输运

作品数：443被引量：610H指数：10
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ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟被引量：13
《物理学报》2000年第9期1867-1872,共6页赵辉 何大伟 王永生 徐叙瑢 
国家自然科学基金!(批准号 :5 9982 0 0 1)&&
采用解析能带模型对ZnS型薄膜电致发光器件的输运过程进行了MonteCarlo模拟 .利用分段的多项式拟合了ZnS的实际导带结构 ,计算了能态密度和散射速率 .以这些结果为基础 ,模拟了ZnS中的电子输运过程 .通过比较 ,这一模型既具有非抛物多...
关键词：电子输运 硫化锌型薄膜 电致发光器件 能带 
ZnS∶Mn^(2+)薄膜电致发光器件中电子散射过程的研究被引量：1
《功能材料》1999年第3期307-309,共3页赵辉 王永生 徐征 王丽辉 徐叙瑢 
国家自然科学基金;国家863计划资助
研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各种散射过程进行了比较，发现极化光学声子散射及谷间散射较为重要，杂质散射的重要性...
关键词：电子输运 电致发光 散射 薄膜 TFELD 
薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程被引量：1
《中国科学（E辑）》1999年第2期174-179,共6页赵辉 王永生 徐征 徐叙瑢 
国家"八六三"高科技计划资助项目;国家教育委员会博士点基金资助项目
利用MonteCarlo方法 ,研究了薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程 ,得出了电子平均动能、平均漂移速度及能谷转移过程随时间的变化规律 .电子输运的瞬态时间约为 2 0 0fs,瞬态长度约为 30～ 40nm .界面发射出的电子平均动能只影响瞬...
关键词：电子输运 瞬态过程 TFELD 电致发光器件 
电极处势垒对新结构器件电子输运的影响被引量：1
《物理学报》1996年第4期709-714,共6页陈立春 王向军 徐叙瑢 姚健铨 
天津市二十一世纪青年科学基金;天津市高等教育局重点学科基金;国家自然科学基金资助的课题.
在新结构薄膜电致发光器件中,电极处的势垒的高度决定电子的注入数量.在电极界面处插入不同的薄膜材料,可以改变势垒的高度,并对电子注入数量和器件的发光亮度产生影响.通过拟合计算得到ZnO/SiO,ITO/SiO的界面势垒高度分别为0.51和1.87eV.
关键词：电致发光器件 电极 势垒 电子输运 
电致发光中SiO_2加速层中电子的输运特性被引量：2
《物理学报》1995年第7期1164-1171,共8页王文静 徐叙瑢 蔡军 
国家自然科学基金;国家"863"高科技项目资助的课题.
研究作为电致发光的加速层的SiO_2中电子的输运行为.给出SiO_2层中陷阶辅助电荷输运的理论模型,并用实验对这一模型进行了验证.认为电致发光条件下SiO_1层中的电子在低场下是以陷阱跳跃的形式输运的,而在高场下陷阱中的电子离化进入导带.
关键词：二氧化硅 电致发光 电子输运特性 
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