自热效应

作品数：92被引量：238H指数：7
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新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期272-276,共5页高迎霞 孙秀婷 卢智嘉 孟纳新 
河北省科学计划资助项目(13220344);石家庄市科研与发展课题(11113451)
提出了一种新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件结构,利用阶梯埋层和埋层1窗口将大量空穴束缚于埋层1和埋层2的上表面,提高了两者的纵向电场,并将器件的耐压从常规结构的470V提高到了805V。因为埋层2的厚度和介电常数对器件耐压无影响,...
关键词：三埋层 空穴 耐压 自热效应 高热导率 
一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期13-15,75,共4页王林 王燕 
国家重点基础研究专项基金资助项目(2010CB327504)
当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应)。提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真结果与测试结果符合较好,提高...
关键词：铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管 自热效应 等效电路 大信号模型 
薄硅层阶梯埋氧PSOI高压器件新结构
《固体电子学研究与进展》2010年第3期327-332,共6页吴丽娟 胡盛东 张波 李肇基 
国家自然科学基金资助项目(60436030);成都信息工程学院科研基金资助项目(CRF200827)
基于介质电场增强ENDIF理论,提出了一种薄硅层阶梯埋氧型部分SOI(SBPSOI)高压器件结构。埋氧层阶梯处所引入的电荷不仅增强了埋层介质电场,而且对有源层中的电场进行调制,使电场优化分布,两者均提高器件的击穿电压。详细分析器件耐压与...
关键词：薄硅层 介质场增强 阶梯埋氧 耐压 调制 自热效应 
蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT自热效应研究
《固体电子学研究与进展》2005年第3期290-293,共4页杨燕 郝跃 
国家重大基础研究(973)项目;预先研究项目支持研究项目(批准号:41308060106)
建立了包含“自热效应”的A lG aN/G aN HEM T(高电子迁移率晶体管)直流I-V特性解析模型。从理论的角度分析了自热效应对A lG aN/G aN HEM T器件的影响,并同已有的实验结果进行了对比,符合较好。证明基于这种模型的理论分析适于A lG aN/...
关键词：氮镓铝/氮化镓 高电子迁移率晶体管 自热效应 
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