总剂量效应

作品数:278被引量:571H指数:10
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相关机构:西北核技术研究所中国科学院大学西安电子科技大学中国科学院更多>>
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日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计被引量:2
《半导体光电》2019年第2期157-160,165,共5页申志辉 罗木昌 叶嗣荣 樊鹏 周勋 
国防基础科研计划项目(JCKY2017210A003);国家安全重大基础研究项目(61328403)
设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离...
关键词:紫外焦平面探测器 读出电路 抗辐射加固 总剂量效应 
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善被引量:12
《物理学报》2010年第3期1970-1976,共7页王思浩 鲁庆 王文华 安霞 黄如 
国家自然科学基金(批准号:60836004,60625403);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302701)资助的课题~~
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂...
关键词:总剂量效应 超陡倒掺杂 泄漏电流 抗辐射加固. 
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