微米工艺

作品数：228被引量：66H指数：3
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A 65-nm 1-Gb NOR floating-gate flash memory with less than 50-ns access time
《Chinese Science Bulletin》2014年第29期3935-3942,共8页Yu Wang Zongliang Huo Huamin Cao Ting Li Jing Liu Liyang Pan Xing Zhang Yun Yang Shenfeng Qiu Hanming Wu Ming Liu 
supported in part by the Ministry of Science and Technology of China (2010CB934200,2011CBA00600);the National Natural Science Foundation of China (61176073);the National Science and Technology Major Project of China (2009ZX02023-005);the Director’s Fund of Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Science
This paper presents a 65-nm 1-Gb NOR-type floating-gate flash memory,in which the cell device and chip circuit are developed and optimized.In order to solve the speed problem of giga-level NOR flash in the deep submic...
关键词：NOR闪存 访问时间 GB 浮栅 NS 深亚微米工艺 芯片电路 速度问题 
性能驱动总体布线的关键技术及研究进展被引量：8
《软件学报》2001年第5期677-688,共12页经彤 洪先龙 蔡懿慈 鲍海云 许静宇 
中国博士后科学基金资助项目 ([2 0 0 0 ]2 3) ;国家重点基础研究发展规划 973资助项目 (G19980 30 411) ;国家自然科学基金资助项
在计算机软件领域 ,超大规模集成电路技术的迅猛发展迫切需要高性能 CAD工具——电子设计自动化(EDA)软件工具的支持 .与物理设计相关的 CAD技术称为布图设计 ,总体布线是布图设计中一个极为重要的环节 .目前 ,在深亚微米、超深亚微米...
关键词：总体布线 超深亚微米工艺 超大规模集成电路 布图设计 电子设计自动化 
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