无源混频器

作品数：25被引量：15H指数：3
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K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计
《电子技术（上海）》2024年第8期53-55,共3页廖学介 王测天 刘莹 羊洪轮 王为 邓春 蒋汶兵 
阐述一款K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计。芯片采用无源双平衡混频器结构,本振和射频的巴伦为螺旋Marchand巴伦。关键技术指标表现出色,芯片尺寸仅为1.15mm×0.8mm×0.1mm,实现了小型化。通过精心设计与优化,该混频器芯片在宽频...
关键词：电路设计 MMIC 宽带 无源双平衡混频器 螺旋Marchand巴伦 
一种3.32 mW 0.1~2.0 GHz宽带接收机芯片设计
《微电子学》2024年第3期444-449,共6页胡棒 张宸睿 郑乐城 杨定坤 
国家级大学生创新训练项目(202210251085)。
基于TSMC 65 nm CMOS工艺设计了一种工作频率覆盖0.1~2.0 GHz的宽带低功耗零中频射频接收机芯片。提出的接收机主要包含了无电感宽带低噪声放大器、无源混频器以及中频滤波器模块。其中,滤波器模块通过采用反相器替代了传统的跨阻放大...
关键词：低噪声放大器 无源混频器 反相器 滤波器 低功耗 
基于电流模结构的超宽带无源混频器设计
《北京理工大学学报》2024年第6期655-660,共6页李潇然 王乾 雷蕾 刘自成 韩放 齐全文 王兴华 
国家自然科学基金资助项目(62101038);北京理工大学青年教师学术启动计划(XSQD-202105006)。
采用SMIC 55 nm CMOS工艺,提出基于电流模结构的2~8 GHz超宽带高线性度直接下变频无源混频器结构.本设计主要结构为低噪声跨导放大器(low noise transconductance amplifier,LNTA)驱动I/Q两路电流模无源混频器,负载为低输入阻抗的跨阻...
关键词：超宽带 低噪声跨导放大器 直接下变频无源混频器 跨阻放大器 CMOS工艺 
一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性混频器
《微电子学与计算机》2023年第12期95-101,共7页段昊阳 权海洋 王盟皓 魏慧婷 张秋艳 崔旭彤 侯训平 张超轩 
设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功...
关键词：无源混频器 低本振驱动 高线性混频器 BICMOS 
S波段四通道低中频接收电路芯片的设计和实现
《微电子学与计算机》2021年第1期77-82,共6页王鑫华 陈明辉 魏恒 王旭东 赵建欣 
河北省自然科学基金(18960202D)。
基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款S波段四通道低中频接收芯片,射频接收信号为2.2~2.5 GHz,中频信号为2~6 MHz可调.为满足T/R组件低成本、轻量化的要求,芯片集成了四条接收通道、本振通路和数字控制等模块.针对多通道芯片容易产生耦...
关键词：四通道 低中频接收机 无源混频器 镜像抑制滤波器 通道隔离度 
一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器被引量：3
《微波学报》2019年第6期26-30,共5页李垚 朱晓维 
国家自然科学基金(61671149,61701110)
采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好...
关键词：无源双平衡混频器 单片微波集成电路 宽带 
一款应用于超高频射频识别标签的低功耗电流模无源混频器
《复旦学报（自然科学版）》2018年第2期228-235,242,共9页余运勇 谈熙 闵昊 
本文设计了一款应用于超高频射频识别标签的分裂低噪声跨导放大器的电流模无源混频器.这款电流模无源混频器的功耗低至2.2mW,包含跨阻放大器.在利用50%占空比本振信号的电流模无源混频器中,分裂的低噪声跨导放大器能够解决I/Q 2路镜像...
关键词：射频识别 跨导放大器 电流模 无源混频器 
高性能双无源混频器可应对5G MIMO接收器挑战
《电子产品世界》2017年第11期74-76,68,共4页Bill Beckwith Xudong Wang Tom Schiltz 
5G的带宽至少需要从目前的20MHz带宽增大到100MHz甚至更高,这就意味着需要进入3.6GHz以上或更高的频段。为了满足这种需求,凌力尔特的LTC5593双无源下变频混频器在3.6GHz提供了出色的线性度和动态范围性能,同时支持超过200MHz的平坦信...
关键词：5G MIMO 混频器 无源 
漏/阻双模高性能D波段无源混频器被引量：1
《浙江大学学报（工学版）》2016年第9期1815-1822,共8页张胜洲 孙玲玲 文进才 刘军 
国家自然科学基金资助项目(61331006;60906015);浙江省自然科学基金资助项目(LY16F040004)
介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻...
关键词：漏/阻双模 D波段 共面波导(CPW) 变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 优良指数(FOMs) 
抗干扰高线性射频前端设计被引量：6
《华南理工大学学报（自然科学版）》2016年第1期37-43,共7页陈志坚 蔡敏 
广东省经济和信息化委员会重大专项(2011912004);广东省产学研结合项目(2011A090200106);广东省高新技术产业开发区发展引导专项(2011B010700065)~~
为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声...
关键词：声表滤波器 射频前端 跨导放大器 无源混频器 互阻放大器 
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