相移掩模

作品数：50被引量：53H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：冯伯儒张锦侯德胜周崇喜孙方更多>>
相关机构：HOYA株式会社中国科学院现代电子产业株式会社信越化学工业株式会社更多>>
相关期刊：《激光与光电子学进展》《光机电信息》《LSI制造与测试》《光学学报》更多>>
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45nm分辨率增强技术优化
《功能材料与器件学报》2008年第2期362-366,共5页高松波 李艳秋 
国家自然基金(10674134);教育部长江学者和创新研究团队计划(PCSIRT);国家973计划项目(2003CB716204)
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适合45nm不同周期图形的光刻方案。采用了传统的离轴照明技术及新照明方式进行对比,并结合交替式相移掩模、...
关键词：分辨率增强技术 离轴照明 相移掩模 偏振 
具有交替型相移掩模技术的CAD系统被引量：1
《计算机集成制造系统-CIMS》2003年第z1期209-212,共4页王迪 刘涛 吴为民 洪先龙 
973国家重点基础研究规划资助项目(G1998030403);国家863/CIMS主题资助项目(2002AA1Z1460)。~~
随着超大规模集成电路制造进入深亚微米时代,版图上相邻特征区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大。交替型相移掩模技术通过将相邻区域的相位进行180°反转,使干涉效应互相抵消,从而被认为是提高光刻分辨率最实用的技术之一。我...
关键词：相移掩模 计算机辅助设计 划分 冲突图 最小匹配 
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