单电压

作品数：38被引量：103H指数：4
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双电压激励法在电容层析成像系统中的应用
《电子器件》2016年第3期628-633,共6页胡叶容 
针对电容层析成像技术在管道流体监测方面存在中心部位信噪比低、边缘效应大以及识别精度低的缺点,提出一种双电压激励方法来提高检测区域中心的检测信号强度。采用COMSOL Multiphysics建立了16电极外置传感器的有限元模型,分别采用常...
关键词：电容层析成像 双电压激励法 有限元 单电压激励法 灵敏度 
高效能8位单片机
《今日电子》2009年第5期89-89,共1页
8位标准封装单片机SM59D03／D04G2（12T／6 T8052内核）可支持3．3V或5．0V单电压供电，提供双DPTR、PCA、看门狗、EEPROM功能，可适用于一般工业、消费性、保全等控制系统。
关键词：8位单片机 EEPROM 一般工业 控制系统 单电压 PCA 看门狗 供电 
低成本高速8位单片机
《今日电子》2009年第5期90-90,共1页
8位单片机SM59R08／R16A2（2T／1T8052内核）可支持3．3V或5．0V单电压供电，提供双UART、I^2C、SPI、PWM、看门狗、EEPROM功能，还有10位ADC可用以撷取温度、湿度等外界环境的信号。
关键词：8位单片机 低成本 EEPROM UART I^2C 外界环境 单电压 SPI 
双向DC-DC变换器的控制模型被引量：74
《中国电机工程学报》2005年第11期46-49,共4页张方华 朱成花 严仰光 
双向DC-DC变换器在不同的功率流向时,存在不同的控制模型。有学者认为,对于能量双向流动的闭环系统,单电压环补偿不能实现闭环稳定工作,而状态反馈可以实现闭环稳定。该文以Buck/Boost双向DC-DC变换器为例构建试验平台,通过双向控制模...
关键词：DC-DC变换器 控制模型 Boost 功率流向 闭环系统 双向流动 稳定工作 状态反馈 试验平台 BUCK 试验验证 动态性能 试验系统 电压环 C系统 单电压 PID 补偿 
安捷伦科技进一步丰富其适用于无线基础设施的经济型SOT-89高线性度E-pHEMT FET产品系列
《网络电信》2005年第6期72-72,共1页
该产品经济地增加了50MHz-6 GHz基站的通道容量 中国北京-安捷伦科技公司(Agilent Technologies)日前宣布，在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4．5mm×4．1mm×1．5mm行业标...
关键词：E-PHEMT 高线性度 产品系列 无线基础设施 增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 FET 经济型 安捷伦科技公司 适用 丰富 行业标准 表面封装 场效应管 GHz 单电压 容量 通道 基站 推出 
ATF-52189／ATF-53189：高线性度E-pHEMT FET产品系列
《世界电子元器件》2005年第4期86-86,共1页
安捷伦科技公司日前宣布在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4．5mm×4．1mm×1．5mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装，ATF-52189和ATF-53189及早先推出...
关键词：E-PHEMT 高线性度 产品系列 增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 FET 安捷伦科技公司 行业标准 表面封装 场效应管 单电压 基站 
安捷伦科技新增经济型SOT-89高线性度E—pHEMT FET产品系列
《中国电子商情（元器件市场）》2005年第3期6-6,共1页
安捷伦科技公司日前宣布，在其高线性度E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)FETs(场效应管)产品系列中增加两款采用4．5mm×4．1mm×1．5mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装，安捷伦新推出的ATF-52189和ATF...
关键词：高线性度 产品系列 增强模式伪形态高电子迁移率晶体管 经济型 FET 安捷伦科技公司 E-PHEMT 行业标准 表面封装 场效应管 单电压 推出 基站 
简单的电压——频率变换器
《国际电子变压器》2004年第9期177-177,共1页邓隐北 
一个积分器再加一个施密特(Schmitt)触发器，就是这一个简单电压／频率变换器的核心。
关键词：频率变换器 触发器 施密特 积分器 单电压 
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