卢瑟福背散射

作品数：59被引量：66H指数：4
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相关作者：孟祥艳王雪蓉刘运传刘向东周燕萍更多>>
相关机构：北京大学中国科学院复旦大学四川大学更多>>
相关期刊：《微细加工技术》《南华大学学报（自然科学版）》《原子核物理评论》《功能材料》更多>>
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精确测定In_xGa_(1-x)N晶体薄膜中铟含量的卢瑟福背散射法研究被引量：1
《中国测试》2017年第3期15-18,57,共5页王雪蓉 刘运传 孟祥艳 周燕萍 王康 王倩倩 
国防基础科研项目(J092009A001)
采用金属有机化合物气相淀积法(MOCVD)在蓝宝石上生长InxGa1-xN/Ga N晶体薄膜,Ga N缓冲层的厚度为2.5μm,InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800 nm,通过光致发光光谱仪测量样品发光峰的峰值,确定铟镓氮晶体薄膜中铟分布的均匀性,取样品均匀...
关键词：氮铟镓 金属有机化合物气相淀积法 卢瑟福背散射 测量不确定度 
采用光致发光法和卢瑟福背散射法测定AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量及斯托克斯移动研究
《计量技术》2014年第11期3-6,11,共5页王雪蓉 刘运传 孟祥艳 周燕萍 王康 
国防基础科研计划项目（J092009A001）资助课题
采用深紫外光致发光技术测量AIxGa1-xN半导体薄膜的禁带宽度，结合软件模拟计算AIxGa1-xN薄膜的弯曲因子b，测定了AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量，同时采用卢瑟福背散射技术测定AIxGa1-xN薄膜中的Al元素含量。结果显示，AIxGa1-xN薄膜的...
关键词：光谱学 铝含量 弯曲因子 斯托克斯移动 光致发光 卢瑟福背散射AIxGa1-xN薄膜 
Al_xGa_(1-x)N晶体薄膜中铝含量的卢瑟福背散射精确测定被引量：6
《物理学报》2013年第16期70-74,共5页刘运传 周燕萍 王雪蓉 孟祥艳 段剑 郑会保 
国防基础科研计划(批准号:J092009A001)资助的课题~~
采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层大约20nm厚的AlN缓冲层,在缓冲层上生长大约2μm厚、晶体质量良好的AlxGa1-xN外延层,通过深紫外光致发光法测量发光峰的能量Eg判断外延层中铝含量的均匀性,取样品均匀...
关键词：氮铝镓 卢瑟福背散射 测量不确定度 金属有机化合物气相淀积法 
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