模型参数提取

作品数:37被引量:73H指数:4
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相关领域:电子电信更多>>
相关作者:韩郑生卜建辉徐跃杭徐锐敏陈志聪更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所电子科技大学清华大学西安电子科技大学更多>>
相关期刊:《Science Bulletin》《河北工业大学学报》《电子与信息学报》《中国测试》更多>>
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晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2003年第3期18-19,共2页
Y2002-63302-108 0305089采用 CMOS 兼容技术的射频双极晶体管=RF bipolartransistors in CMOS compatible technologies[会,英]/Sun,I.-S.M.& Ng,W.T.//2001 IEEE HongKong Electron Devices Meeting.—108~111(E)Y2002-63306-180 030...
关键词:MOS器件 Electron 增强模式 compatible 浮体效应 INSULATOR BIPOLAR 电流增益 击穿电压 模型参数提取 
可靠性设计、试验与设备
《电子科技文摘》2002年第7期5-5,共1页
0212461栅氧化层 TDDB 可靠性评价试验及模型参数提取[刊]/恩云飞//电子产品可靠性与环境试验.—2002,(1).—1~4(K)采用恒定电压和恒定电流试验方法对20nm 栅氧化层进行了 TDDB 可靠性评价试验,并完成了1/E 模型参数提取,给出了恒定电...
关键词:环境试验 可靠性设计 模型参数提取 可靠性评价 电子产品可靠性 栅氧化层 恒定电压 破坏性物理分析 恒定电流 可靠性增长 
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