云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 耐压模型

耐压模型: 作品数：11被引量：26H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李琦李肇基郭宇锋花婷婷罗小蓉更多>>; 相关机构：电子科技大学南京邮电大学桂林电子科技大学东南大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》《半导体技术》《北京理工大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金更多>>

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表面注入D-RESURF器件耐压模型被引量：1: 《半导体技术》2011年第5期348-351,共4页李琦王卫东张杨张法碧; 广西自然科学基金(2010GXNSFB013054);广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(1114001-10F);桂林电子科技大学博士科研启动基金(UF08021Y); 建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大,器件导通电阻降低。分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击...; 关键词：表面注入双重降低表面电场模型击穿电压导通电阻