云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 耐压模型

耐压模型: 作品数：11被引量：26H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李琦李肇基郭宇锋花婷婷罗小蓉更多>>; 相关机构：电子科技大学南京邮电大学桂林电子科技大学东南大学更多>>; 相关期刊：《微电子学》《东南大学学报（自然科学版）》《半导体技术》《北京理工大学学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金更多>>

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超薄层SOI高压LVD LDMOS耐压模型及特性研究被引量：3: 《微电子学》2015年第6期812-816,共5页王卓周锌陈钢杨文庄翔张波; 中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2013J043);国家重点实验室开放课题(KFJJ201203); 针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及...; 关键词：超薄SOI层线性变掺杂高压LDMOS 耐压模型 RESURF