结型晶体管

作品数:26被引量:9H指数:2
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深亚微米CMOS模拟集成电路设计被引量:1
《中国科技信息》2014年第6期180-180,共1页宋邦燮 刘力源 
《深亚微米CMOS模拟集成电路设计》着眼于电路设计,首先介绍双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体(MOS)晶体管的抽象模型.然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括:运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、...
关键词:模拟集成电路设计 深亚微米CMOS 数据转换器 金属氧化物半导体 结型晶体管 运算放大器 抽象模型 奈奎斯特 
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