多晶发射极

作品数：4被引量：2H指数：1
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SiGe HBT器件的研究设计被引量：1
《半导体技术》2010年第1期58-62,共5页米保良 吴国增 
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1500,最大达到3000,Vceo为5V,厄利电压VA大于10V,βVA乘积达到15000...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 多晶发射极 特征频率 双层多晶硅 
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