多晶硅发射极

作品数：49被引量：23H指数：2
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一种高性能2.0um BiCMOS工艺
《电子器件》1997年第1期56-62,共7页周均 袁博鲁 叶青松 
本文介绍一种高性能2.0umBiCNIOS工艺.该工艺采用P型衬底,N型P型双埋层,N型薄外延结构,掺杂多晶作为CMOS晶体管栅极和双极晶体管的发射极.CMOS晶体管源漏自对准结构,钛和铝双层金属作为元件互连和PECVDSiNx介质作为钝化薄膜.用该工艺研...
关键词：自对准 多晶硅发射极 环型振荡器 双极晶体管 
超高频多晶硅发射极晶体管的研究被引量：1
《电子器件》1996年第4期239-251,共13页黄英 张安康 
本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地...
关键词：多晶硅发射极 双极晶体管 
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