多孔硅

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多孔硅制备及在太阳能电池中的应用研究进展
《功能材料》2023年第12期12045-12055,共11页李浩杨 任永生 马文会 詹曙 曾毅 刘国炎 王正省 王哲 
国家自然科学基金青年基金项目(52104303);云南省科技厅重大研发计划基金项目(202103AA080010);云南省科技厅青年基金项目(202201AU070094);云南省科技厅-昆明理工大学创建“双一流”联合基金面上项目(202201BE070001-045);北京科技大学钢铁冶金新技术国家重点实验室基金项目(KK21-07)。
多孔硅是通过对单晶硅片进行电化学腐蚀或适当的化学腐蚀而形成的一种纳米结构半导体材料。多孔硅纳米材料因其巨大的表面积、可调谐的光学性质和良好的相容性,被广泛应用于电子器件、生物传感、化学传感、药物传递、生物芯片等诸多领...
关键词：多孔硅制备 化学刻蚀 MACE 电化学腐蚀 溶液合成 光致发光 多孔硅光波转换结构 
MACE法制备多孔硅的形貌及光致发光性能被引量：1
《微纳电子技术》2021年第5期392-396,共5页张艺 端木庆铎 
采用金属辅助化学腐蚀(MACE)法,通过控制不同的腐蚀时间制备出多孔硅。利用扫描电子显微镜(SEM)观察多孔硅形貌,分析结果表明,随着腐蚀时间的增加,硅表面腐蚀孔洞变大,孔洞深度增加,同时孔洞深度的增加速率随之变缓。采用325 nm He-Cd...
关键词：金属辅助化学腐蚀(MACE) 多孔硅 形貌 光致发光 发光强度 
CdSe/ZnS量子点/介孔硅复合膜的光致发光谱被引量：1
《光学与光电技术》2018年第3期51-55,共5页张红梅 吕长武 
研究了CdSe/ZnS量子点与介孔多孔硅偶联吸附结合的复合膜的光致发光谱。实验比较了CdSe/ZnS量子点与硅复合和与多孔硅复合的光致发光,发现量子点与多孔硅复合的发光比与硅复合有很大的增强。对不同孔径的多孔硅与量子点复合后的光致发...
关键词：CdSe/ZnS量子点 多孔硅 复合膜 光致发光 
石墨烯对多孔硅光学性能的影响被引量：1
《微纳电子技术》2017年第9期585-590,共6页钱栋梁 葛道晗 程广贵 
国家自然科学基金资助项目(11404146)
采用电化学腐蚀法,通过改变腐蚀电流密度制备出不同孔径的多孔硅衬底。通过荧光分光光度计对多孔硅进行光致发光性能测试,测试结果发现腐蚀电流密度会对其光致发光性能产生影响,当腐蚀电流密度为30 mA/cm^2时,制备出的多孔硅光致发光性...
关键词：石墨烯 多孔硅 电流密度 复合材料 光致发光 
自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备及其超级电容特性被引量：4
《复合材料学报》2016年第9期2082-2087,共6页邢正伟 沈鸿烈 唐群涛 姚函妤 杨楠楠 
国家自然科学基金(61176062);中央高校基本科研业务费专项资金(3082015NJ20150024);江苏省前瞻性联合创新项目(BY2013003-08);江苏高校优势学科建设工程
首先利用二步阳极氧化法制备了自支撑多孔硅,再利用真空抽滤法在自支撑多孔硅中沉积ZnO纳米籽晶层,最后用水热合成法使ZnO纳米籽晶进一步长大。采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析和光致发光谱分析对样品的形貌、元素及发光性能进行了...
关键词：自支撑多孔硅 ZnO纳米颗粒 真空抽滤 光致发光 超级电容器 
CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性被引量：2
《光子学报》2016年第9期135-139,共5页邢正伟 沈鸿烈 李金泽 张三洋 杨家乐 姚函妤 李玉芳 
国家自然科学基金(No.61176062);江苏省前瞻性联合创新项目(No.BY2013003-08);江苏高校优势学科建设工程资助项目;中央高校基本科研业务费(No.3082015NJ20150024)资助~~
为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍...
关键词：CDS 纳米颗粒 阳极氧化法 电泳法 自支撑多孔硅 光致发光 
稀土Er^(3+)/Yb^(3+)掺杂对多孔硅结构和光致发光性能的影响被引量：1
《功能材料》2016年第2期2001-2005,共5页张春玲 唐蕾 张会平 姚江宏 
天津市应用基础与前沿技术研究计划资助项目(12JCYBJC10900)
利用双槽电化学腐蚀方法制备多孔硅,并用电化学掺杂方法对多孔硅进行稀土元素Er^(3+)/Yb^(3+)掺杂。利用扫描电镜和X射线衍射光谱分析所制备样品的结构和成分;通过对比掺杂前后以及退火前后荧光光谱的变化,分析能级变化情况和能量传递过...
关键词：多孔硅 电化学 稀土掺杂 荧光光谱 X射线衍射 
非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响
《发光学报》2014年第12期1427-1431,共5页陈景东 张婷 方玉宏 
福建省教育厅A类项目(JA14196);闽南师范大学科研基金(SK08013)资助项目
采用水热腐蚀法制备了铁钝化多孔硅样品,样品光致发光谱的荧光峰位于2.0eV附近,半峰宽约为0.40eV。激发波长从240nm增大到440nm的过程中,荧光峰先红移再蓝移,最后基本稳定,变化曲线呈勺型。通过分析15片发光多孔硅样品的统计结果,发现...
关键词：多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀 
水热腐蚀时间对铁钝化多孔硅表面形貌和光致发光的影响被引量：1
《光学学报》2014年第9期211-215,共5页陈景东 张婷 汪庆祥 
国家自然科学基金(21275127);福建省教育厅A类科技基金(JA14196);闽南师范大学科研基金(SK08013)
采用水热腐蚀法制备了4个腐蚀时间不同的铁钝化多孔硅样品,铁钝化多孔硅样品表面呈海绵结构,随着腐蚀时间增加,样品表面的平整度下降,腐蚀孔尺寸差别有增大的趋势。在250nm光激发下,样品发光峰位于620nm附近,半峰全宽约130nm。腐蚀时间...
关键词：光电子学 多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀 
铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究被引量：3
《发光学报》2014年第2期184-189,共6页陈景东 张婷 
闽南师范大学科研基金(SK08013)资助项目
采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品。同一样品表面具有相似的孔隙结构,不同样品形貌存在差异。在300 nm光激发下,样品发光峰位于618 nm附近,半高宽约为132 nm。傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si...
关键词：多孔硅 铁钝化 光致发光 非桥氧空穴 水热腐蚀 
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