单粒子烧毁

作品数：51被引量：82H指数：5
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SiC MOSFET的质子单粒子效应
《半导体技术》2024年第7期654-659,共6页史慧琳 郭刚 张峥 李府唐 刘翠翠 张艳文 殷倩 
国家自然科学基金(U2167208,U2267210);中核集团青年英才基金项目(11FY212306000801)。
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照...
关键词：碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应 辐射损伤 
p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究被引量：1
《半导体技术》2011年第12期905-909,928,共6页郑君 周伟松 胡冬青 刘道广 何仕均 许军 
国家自然科学基金资助项目(60820106001)
借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流...
关键词：p沟VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅击穿 辐照 线性能量转移 
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