单粒子烧毁

作品数：51被引量：82H指数：5
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相关机构：杭州电子科技大学西安电子科技大学哈尔滨工业大学西北核技术研究所更多>>
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功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟被引量：5
《电力电子技术》2012年第1期114-116,共3页高一星 胡冬青 贾云鹏 吴郁 
在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲...
关键词：金属氧化物场效应晶体管:单粒子烧毁 二维数值模拟 
单粒子烧毁、栅穿效应的电路模拟与测试技术
《电力电子技术》2000年第4期56-59,共4页唐本奇 王燕萍 耿斌 杜凯 
建立了功率MOS器件单粒子烧毁、栅穿效应的等效电路模型 ,介绍了模型参数提取方法。采用PSPICE电路模拟程序 ,对单粒子烧毁、栅穿效应机理进行了模拟和分析 ,建立了利用Cf 2 52裂片源模拟空间重离子单粒子烧毁、栅穿效应的测试装置。实...
关键词：电路模拟 功率MOS器件 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
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