辉光放电质谱

作品数：129被引量：319H指数：13
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辉光放电质谱法相对灵敏度因子影响因素研究被引量：11
《质谱学报》2016年第4期343-350,共8页魏兴俭 王丽萍 秦震 张海路 邓大超 
本工作研究了辉光放电气体流速、放电电压和放电电流3个主要因素对辉光放电质谱法(GDMS)相对灵敏度因子(RSF)的影响。结果显示,在恒定的放电电流或放电电压下,重元素的RSF随放电气体流速的增大而增大,轻元素的RSF随放电气体流速的增加...
关键词：辉光放电质谱法(GDMS) 相对灵敏度因子(RSF) 影响因素 
铝合金中微量元素辉光放电质谱定量分析研究被引量：9
《质谱学报》2012年第1期18-22,共5页李继东 王长华 郑永章 
科技部创新方法工作专项项目<新型高性能铝合金理化分析方法的研究>(2009IM031900);国家科技支撑计划<科研用高纯无机试剂核心单元物质及共性关键技术的研究与开发>(2006BAF07B02)资助
以辉光放电质谱法对牌号为6063铝合金标样(E421a)中9个元素进行测定,获得每个元素的灵敏度因子(RSF),并考察了辉光放电电流、放电氩气流速以及离子源冷却温度对RSF值的影响。实验结果表明,辉光放电电流和氩气流速对RSF值有明显的影响,...
关键词：辉光放电质谱 铝合金 相对灵敏度因子 定量分析 
高纯钽的辉光放电质谱多元素分析被引量：27
《质谱学报》2007年第1期36-39,共4页陈刚 葛爱景 卓尚军 王佩玲 
采用辉光放电质谱法（GD-MS）同时测定了高纯钽样品中76种元素，比较了两种不同构造放电池的影响。大多数元素的常规分析检测限在1～5ng·g^-1主要金属杂质含量与采用ICP-MS法定量分析的结果一致，这表明GD-MS对高纯钽样品无需标样的快...
关键词：辉光放电质谱法(GD-MS) 多元素分析 钽 
辉光放电质谱仪Element GD的应用
《质谱学报》2005年第z1期93-94,共2页尹松 王勇为 周昕 蒋季春 肖陈刚 
A newest high resolution glow discharge mass spectrometer (HR-GD-MS) was developed by Thermo Electron Bremen Manufactory. Combine of a glow discharge ion source with a successful high resolution mass spectrometer, Ele...
关键词：GLOW discharge mass SPECTROMETER ELEMENTAL analysis HIGH resolution HIGH throughput ultra TRACE 
高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析被引量：8
《质谱学报》2004年第B10期17-18,共2页唐利斌 荣百炼 姬荣斌 
The trace impurities in high purity Te were measured by use of VG9000 glow discharge mass spectrometer (GDMS). Results showed that the stability of analytical performance and the accuracy of analytical results can be ...
关键词：高纯碲 杂质分析 辉光放电质谱 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 
碲锌镉晶体组分的辉光放电质谱分析被引量：1
《质谱学报》2004年第B10期19-20,共2页荣百炼 唐利斌 赵增林 黄晖 黄蓓 姬荣斌 
The major and trace level elements in cadmium zinc telluride (CZT) were detected by used of glow discharge mass spectrometry (GDMS). Results show that GDMS is a powerful tool for analyzing trace level elements in soli...
关键词：碲锌镉晶体 组分分析 辉光放电质谱 红外焦平面探测器材料 碲镉汞 衬底 
辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素被引量：17
《质谱学报》2004年第2期96-99,共4页荣百炼 普朝光 姬荣斌 鲁燕杰 
采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :...
关键词：高纯锑 痕量分析 杂质元素 辉光放电质谱法 半导体材料 
辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素被引量：14
《质谱学报》1997年第4期67-70,共4页普朝光 肖绍泽 张震 
本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。
关键词：辉光放电质谱仪 痕量杂质 锗半导体 纯度 
辉光放电飞行时间质谱仪离子光学系统的改进及其性能的初步测试
《质谱学报》1997年第3期13-19,共7页苏永选 周振 杨芃原 王小如 黄本立 
国家自然科学基金
本文介绍一种经过改进的离子光学系统，并用于垂直引出式辉光放电飞行时间质谱仪。初步研究了它的性能，包括吸引锥、透镜、直流四极杆、狭缝电位变化时对仪器灵敏度与分辨率的影响，并检测了黄铜样品谱图。结果表明，该系统不仅能有效...
关键词：辉光放电质谱 飞行时间质谱 离子光学系统 GDMS 
用辉光放电质谱法和火花源质谱法分析表征金属和半导体被引量：7
《质谱学报》1996年第3期6-17,共12页刘成德 
辉光放电质谱（ＧＤＭＳ）和火花源质谱（ＳＳＭＳ）是进行高纯固体材料直接和全面分析的两种主要的分析技术，ＧＤＭＳ和ＳＳＭＳ各有所长，有互补性。适当运用这两种技术，综合其优势，可望在固体样品分析表征的许多应用中获得更全面...
关键词：辉光放电质谱 火花源质谱 金属 半导体 质谱法 
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