混频器

作品数：1092被引量：947H指数：11
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基于HEMT新型结构的140 GHz单片次谐波混频器
《微波学报》2024年第S1期310-313,共4页王晓宇 周静涛 
在太赫兹收发系统中传统的混频器与放大器由于其不同的外延结构会导致集成难度增加并引入较大的损耗,而本文基于已有的InP HEMT工艺利用反向并联二极管(APDP)结构进行140 GHz频段单片次谐波混频器的设计,相较于传统的APDP结构的混频器...
关键词：HEMT二极管 APDP 单片次谐波混频器 
330 GHz集成化T/R组件的设计与实现被引量：2
《微波学报》2024年第3期79-84,共6页凌清岚 姚常飞 张炎 
总装备部预研基金(612502200204)。
针对某机载雷达收发组件小型化的应用要求,基于混合微波集成电路技术设计了一种330 GHz集成化收发组件。收发组件主要由本振链路、发射链路以及接收链路三个模块构成。本振链路输入信号经倍频、滤波、放大、功分后发射,并完成回波信号...
关键词：太赫兹 收发组件 集成化 四倍频器 混频器 
基于SiGe BiCMOS W波段混频器设计
《微波学报》2023年第S01期382-385,共4页陈翔 周春霞 程国枭 吴文 
基于130nm SiGe BiCMOS工艺,本文采用双吉尔伯特单元结构设计了一款高线性度的下变频混频器。在混频器的跨导级加入退化电感提高混频器的线性度,并且在中频输出端使用有源双转单电路,实现单端输出并提供增益。版图仿真结果表明,在本振...
关键词：W波段 下变频混频器 高线性度 
0-110GHz双平衡混频器的设计
《微波学报》2020年第S01期167-168,共2页刘志成 周静涛 
采用InP衬底,以空气桥工艺制作的肖特基二极管为核心器件,设计了一种0~110GHz的宽带双平衡混频器。整个混频器包括一路射频信号输入,两路射频信号输出,上下各有两路中频信号输出,同一侧中频信号的输出相位差为180。以及四个肖特基二极...
关键词：宽带 双平衡混频器 差分输出 肖特基二极管 
采用单元电路法的560GHz次谐波混频器设计
《微波学报》2020年第S01期309-311,共3页李宇 张勇 
本文采用分部单元电路法,基于CMRC滤波器结构以及悬置微带线结构,使用三维电磁软件构建肖特基二极管的三维模型,设计了560GHz的太赫兹次谐波混频器。使用单元电路法,先将混频器电路分为多个独立单元电路,然后独立设计各个单元电路,当单...
关键词：单元电路法 次谐波混频器 肖特基二极管 变频损耗 
基于肖特基二极管的太赫兹变频关键技术
《微波学报》2020年第S01期1-4,共4页张勇 吴成凯 
本文回顾了当前基于肖特基二极管实现太赫兹变频的关键技术。首先介绍了二极管本征建模方面的一些突破以及寄生模型方面的改进,涉及到二极管物理基SDD本征建模、寄生参数提取方法和内部端口技术。接着介绍了两种我们新提出的二极管结构...
关键词：肖特基二极管 太赫兹 变频技术 混频器 倍频器 
一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器被引量：3
《微波学报》2019年第6期26-30,共5页李垚 朱晓维 
国家自然科学基金(61671149,61701110)
采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好...
关键词：无源双平衡混频器 单片微波集成电路 宽带 
一种新型220GHz太赫兹分谐波混频器设计被引量：3
《微波学报》2018年第A01期255-258,共4页崔建行 刘晓宇 黎雨坤 夏德娇 张勇 
设计了一款基于肖特基势垒二极管和改进型CSMRs滤波器结构的新型220GHz太赫兹分谐波混频器。射频端采用基片打孔并镀金的方式实现直流接地。本振低通滤波器和中频低通滤波器均采用不同的改进型CSMRs滤波器结构,与常用的高低阻抗滤波器相...
关键词：CSMRs滤波器 太赫兹技术 分谐波混频器 肖特基势垒二极管 
基于光纤传输的太赫兹无线通信
《微波学报》2018年第A01期278-281,共4页袁雪琪 张盟 王学田 高洪民 常国兵 
针对500GHz以上的大气窗口频段,提出了一种基于光纤传输的THz通信系统。该通信系统的微波源由两个工作频率不同的激光器通过光混频器获得。接收机采取肖特基整流二极管进行直接接收。此外,分析了该THz通信系统中的关键器件设计及THz通...
关键词：THz通信 光混频器 THz信号调制 
一种基于SiGe工艺的多功能下变频芯片的设计与实现被引量：4
《微波学报》2017年第5期59-63,共5页鞠英 王正伟 陈熙 何磊 
随着射频收发组件小型化的要求越来越高,射频单片集成电路向小型化和多功能化方向发展。基于TSMC 0.35μm SiGe工艺成功研制了一款多功能下变频芯片。片上集成了正交(I/Q)混频器、有源巴伦、多相滤波器、输出缓冲器和LDO。通过对整个电...
关键词：正交混频器 有源巴伦 多相滤波器 高线性度 
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