火花源质谱法

作品数：23被引量：32H指数：3
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硅藻土,硬铝,不锈钢,金属铜和镍中杂质含量的全分析
《核化学与放射化学》2001年第3期178-183,共6页王兴尧 赵敦忠 李泽 吴杰 罗上庚 刘大鸣 
为提供NDA标准样品用的基体材料、容器材料和镀层材料中杂质元素含量的有关数据 ,并建立杂质元素含量的全分析方法 ,采用火花源质谱法分析了硅藻土 ,硬铝 ,不锈钢 ,金属铜和镍样品中杂质元素含量 ,每个样品获得了约
关键词：杂质含量 火花源质谱法 全分析 硅藻土 硬铝 不锈钢 金属铜 金属镍 
2-乙基已基膦酸单(2-乙基已基)酯萃淋树脂分离-火花源质谱法测定高纯氧化钐中痕量稀土杂质
《分析化学》1996年第12期1470-1470,共1页隋喜云 王子树 陈国金 温津 廉君秀 
关键词：氧化钐 稀土元素 火花源质谱法 萃淋树脂 
高纯氧化铈和氧化镨中痕量杂质元素的火花源质谱测定被引量：1
《分析化学》1996年第12期1471-1471,共1页隋喜云 王子树 许隽美 刘长路 温津 
关键词：氧化铈 氧化镨 杂质 火花源质谱法 
用辉光放电质谱法和火花源质谱法分析表征金属和半导体被引量：7
《质谱学报》1996年第3期6-17,共12页刘成德 
辉光放电质谱（ＧＤＭＳ）和火花源质谱（ＳＳＭＳ）是进行高纯固体材料直接和全面分析的两种主要的分析技术，ＧＤＭＳ和ＳＳＭＳ各有所长，有互补性。适当运用这两种技术，综合其优势，可望在固体样品分析表征的许多应用中获得更全面...
关键词：辉光放电质谱 火花源质谱 金属 半导体 质谱法 
P_（507）萃淋树脂分离—火花源质谱法定量分析高纯Nd_（2）O_3中痕量稀土元素
《质谱学报》1996年第1期56-62,共7页隋喜云 王子树 黄富嵘 
本采用萃取色谱法，以Ｐ５０７萃淋树脂为固定相，以ＨＣｌ－ＮＨ４Ｃｌ体系为淋洗液，研究了高纯Ｎｄ２Ｏ３（９９．９９９％～９９．９９９９％）中稀土杂质与Ｎｄ基体的分离方法。选择螯合剂－活性碳柱富集淋洗液中痕量稀土，采用火...
关键词：萃取 色谱分离 质谱 氧化钕 稀土 
火花源质谱法测定高纯银粉中六个微量元素
《华东地质学院学报》1995年第4期381-384,共4页周之荣 李炳林 
本文利用同位素稀释法和内标法相结合，建立了火花源质谱法同时测定高纯银粉中六个微量元素的分析方法。对通常使用的内标公式进行了扩展，使其更为普遍适用。方法测定灵敏度可达０．１μｇ／ｇ，相对标准偏差为９．３％～１６．５％。
关键词：火花源质谱法 微量元素 纯银粉 
火花源质谱法定量分析高纯氧化钬和氧化镥中痕量元素被引量：2
《分析化学》1995年第8期967-971,共5页隋喜云 王子树 杨燕萍 刘长路 
本文采用相对灵敏度因子，研究了９９．９９９％－９９．９９９９％的Ｈｏ２Ｏ３和Ｌｕ２Ｏ３中４０余种杂质元素的火花源定量分析方法，讨论了谱线干扰。做了加入回收及生理性实验，大多数元素的相对标准偏差在３０％以内，检测下限为...
关键词：质谱 稀土 氧化铁 氧化镥 痕量元素 
同位素稀释火花源质谱法直接测定高纯氧化钆中的稀土杂质元素被引量：1
《分析化学》1995年第5期572-574,共3页孟哲生 周文证 滕宗周 张悫 赵杰 
本文采用同位素稀释火花源质谱法直接测定高纯氧化铁中 Nd、Sm、Eu、Dy、Ers个元素,再以该法测定的Nd和Er为内标,同时测定La、Ce,、Pr、Y和Tb、Ho、Tm、Lu 8个元素.方法的测定下限∑RE为8μg/g回收率为85%～114%.相对标准偏差为4%～21%.
关键词：同位素稀释法 质谱 氧化钆 稀土杂质 
同位素稀释火花源质谱法测定氧化钇标准物质中CeO_2、Dy_2O_3、CuO和PbO被引量：1
《质谱学报》1992年第3期27-32,共6页马树钦 陈瑾芳 
本文介绍用同位素稀释火花源质谱法定量分析氧化钇标准物质中的稀土元素铈、镝和非稀土元素铜、铅以及对标准物质中这四种元素的均匀性检验。方法的灵敏度为10^(-5)%～10^(-7)%量级,精密度优于6%,准确度优于5%。本文还对谱线干扰,最佳...
关键词：同位素稀释 火花源质谱法 氧化钇 
用火花源质谱法分析半导体中杂质元素
《电子与仪表》1991年第5期39-43,共5页陶美娟 
关键词：火花源质谱法 半导体 杂质元素 
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